IBM将在明年2月举行的2008年国际固态电子电路大会(ISSCC 2008)上首次披露自己的45nm设计工艺。据悉，IBM计划首先将其与Sony等公司联合研发的CELL芯片从65nm迁移至45nm。

　　今年11月，英特尔率先发布了45nm工艺Penryn核心处理器，新处理器首次应用了以铪(Hafnium)为基础的High-K金属栅极技术，在业界首次采用45nm工艺制造，从而提高性能、降低功耗。

　　而IBM此次披露的45nm工艺仍然为其一直推广的SOI 技术，届时，CELL处理器将从目前的65nm SOI迁移至45nm SOI。

　　据IBM有关负责人表示，IBM使用自动化方法将制造工艺从65nm SOI推进为45nm SOI是一大挑战，产品的运转循环将保持不变。IBM重点关注的是迁移的有效性，降低能耗，节省面积，和改进DFM。据悉，采用45nm SOI之后，芯片体积将缩小34%，能耗可以降低40%。

　　SOI结构的主要特点是在有源层和衬底层之间插入埋氧层来隔断有源层和衬底之间的电气连接。它和硅基器件在电路或器件结构上的主要差异在于：硅基器件或电路制作在硅衬底或外延层上，器件和衬底直接产生电气连接，高低压单元之间、有源层和衬底层之间的隔离通过反偏PN结完成;而SOI技术中的有源层和衬底甚至高低压单元之间都通过绝缘介质完全隔开，各部分的电气连接被完全消除。这一结构特点为SOI类器件带来了寄生效应小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐照能力强等诸多优点。

　　一些业界人士和英特尔公司也曾指出，SOI的成本还比较高。不过IBM说它在晶圆的制造上只增加了 10 % 的费用。"如果你考虑到冷却技术的费用，那么 SOI 是得大于失。"

　　对于IBM的Power系列处理器什么时候可以使用45nm工艺，IBM方面没有给出确定的答案。目前，IBM Power6处理器采用65nm工艺制造。