【IT专家网独家】2007年11月2号下午，Intel就即将发布的45纳米工艺处理器Penryn举行了技术交流会。前一段时间，本站也报道过Intel第一座量产45纳米处理器的工厂正式投产的消息。这次交流会，Intel详细介绍了关于45纳米工艺制作的Penryn处理器的一些消息。

　　随着时间的推移，CPU的工艺也越来越先进，技术也越来越复杂，遇到的问题也越来越多，特别是45纳米工艺制程，当人们都觉得45纳米工艺是CPU发展的瓶颈、摩尔定律即将失效的时候，Intel克服重重困难，实现45纳米工艺处理器的量产，让CPU的发展继续遵循着摩尔定律走下去，这对整个半导体集成电路制造业来说可谓是意义深远。

　　65纳米工艺出现后，硅片上的氧化硅层厚度只有5个硅原子的高度，再发展下去，随之而来的就是CPU的漏电问题，这在CMOS制造工艺上已经达到了极限。45纳米制造工艺与65纳米工艺相比，绝对不是简单的将连线宽度减少了20纳米，，45纳米制造工艺可以在不增减芯片体积的前提下，在相同体积内集成多将近一倍的晶体管，使芯片的功能得到跨站。因此，信位宽度越小，晶体管的极限工作能力就越大，也就以为着更佳出色的性能。

　　解决漏电危机

　　漏电问题一直伴随着CPU的发展而存在，Intel的45纳米制作工艺采用了改进型SOI(Silicon-on-insulator，绝缘体硅片)、变形硅技术，这种第三代单轴应变硅隧道更好的改善了CPU性能。

　　SOI是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计，变形硅则是为了驱动电流流动而设计。

　　解决信号延迟问题

　　45纳米制程工艺在65纳米工艺基础上更进一步，采用了10层铜导互连技术，使得硅晶圆上的晶体管集成度再次提高，随之而来就是信号延迟问题，因为更多的铜导互连层必将导致互联电路部分的信号延迟，必须需要采用别的材料作为介电材料，Intel此次透露：其45纳米制作工艺融合了高介电薄膜(High-K Dielectrics)材料和金属门电路，成功解决了解决了漏电危机和信号延迟问题。

　　功耗问题

　　Intel 45纳米工艺有效的降低了功耗问题，测试数据显示Intel 45纳米工艺在性能提升和功耗降低两个方面都都表现很好。

　　Intel公司的45纳米制作工艺突破CMOS制造的极限，让摩尔定律得到延续，是一次具有历史意义的突破。

　　在会上，Intel的产品经理透露：Intel基于45纳米的新兴处理器Penryn已经投产，讲在本月12号上市，随后Intel的相应产品都将陆续换成45纳米制作工艺的产品。同时，32纳米制作工艺已经加入到产品计划线，目前正处于实验之中。

　　45纳米时代即将来临，让我们静候一场芯片工业的大变革。

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