高K-金属栅极和45纳米有什么关系?本篇从物理的角度来诠释。

　　物理极限

　　在过去一年中，随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论，让大家开始知道这两个新词汇，所以大家可能有这样的疑问：在处理器量产中采用的45纳米芯片生产工艺和同时提及的高K-金属栅极有什么关系吗?高K-金属栅极到底是什么?为什么说成功研制高K-金属栅极并将之付诸量产是半导体业界里程碑式的技术变革和突破?

　　为了回答这个问题，让我们来先了解什么45纳米(nm)生产工艺或者制程 ? 45纳米不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。半导体业界习惯上用线宽这个工艺尺寸来代表硅芯片生产工艺的水平。早期的连线采用铝，后来都采用铜连线了。

　　注释：1微米=1000纳米，1纳米(nm)为10亿分之1米。

　　处理器生产工艺从早期的0.8微米，0.6微米，0.35微米，0.25微米，0.18微米，0.13微米，90纳米(0.09微米)，到今天的65纳米，即将到来的45纳米以及将来的32纳米等等。