很多人将本次IDF的亮点锁定为45 纳米Nehalem架构，这一全新架构即将于年底问世。在大会的专题演讲中，英特尔公司企业微处理器事业部总监Nehalem 架构开发设计经理白杰铭(Jim Brayton)介绍了Nehalem架构及其处理器的特性，重点从微架构、高速缓存组织结构，以及指令集增强和实现这些目标的关键技术方面进行阐述，并且展示了如何将这些能力与基于崭新英特尔 QuickPath 架构的平台相结合，满足服务器、工作组、台式机和移动平台的多种需求。

　　用1功耗换来〉1的性能

　　这个标题的意思实际上就是每瓦能耗比，要让处理器消耗能量的同时带来大于其的性能。

　　白杰铭表示，Nehalem架构及其处理器可充分发挥英特尔 45 纳米工艺技术的优势，将性能、能效、模块性和集成性提升至新的水平。据他介绍，在Nehalem设计之初，英特尔旨在提高可扩充的核心设计，而要达到这一目标，必须解决能耗问题。而随着45纳米高-k技术的出现，这一问题迎刃而解。同时，多体系架构技术可以有效提高每瓦能耗比，全新的SSE4、高缓冲层次结构和改进的锁定支持，可以处理更多的高速缓存中的指令，适合面向大型数据库的应用。

　　内存控制器

　　Nehalem集成了内存控制器，每个插槽有三个通道，每个通道3DIMM，支持DDR3 800、1066和1333。带宽的最高限度理论上可以达到每秒31.99GB，这确实令人振奋。Nehalem芯片每个核心采用的是256KB L2高速缓存，每个芯片采用8MB L3高速缓存。这有点类似英特尔现有的45纳米四核处理器，它采用的是12MB L2高速缓存(每个芯共享6MB L2高速缓存)。作为参考，AMD公司即将出炉的45纳米四核处理器将采用每个核心512KB L2高速缓存，每个芯片采用6MB L3高速缓存。

　　内存控制器本身的处理能力带宽最大限度为每秒64GB。但在处理器采用了集成内存控制器后，它就能直接与物理存储器阵列相连接，从而极大程度上减少了内存延迟的现象。

　　集成内存控制器可以支持DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333，也为将来的升级预留了空间。至于如何为将来的标准提供支持还不得而知。

　　每个处理器都使用三通道，每个通道都能支持3组双列直插内存模块(DIMM)。这就意味着一个处理器最大限度能支持9列内存插槽。最少也能支持3列，即每个通道采用1组双列直插内存模块。这主要取决于所使用的主板的级别，每个主板都能配置为3列，6列或9列内存插槽。不过通常来说服务器至少都是使用双路对称多处理系统，采用两个Nehalem处理器，那么总共能支持的内存插槽就翻倍达到了18列！